台积电在今日举办的2022技术论坛上，首度推出采用奈米片电晶体之下一世代先进N2制程技术，也就是2nm 制程！
据官方表示，对比N3，N2技术在相同功耗下，速度增快10~15%，或在相同速度下，功耗降低25~30%，开启了高效效能的新纪元。 N2将采用奈米片电晶体架构（nanosheet transistor architecture），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。
除了行动运算的基本版本，官方还说到 N2技术平台亦涵盖高效能版本及完备的小晶片整合解决方案。而N2预计于2025年开始量产。
此外，根据台积电最新技术路线图，第一代N3（3nm）预计于2022年下半年进入量产，3nm也会比较长寿，后续还有N3E、N3P和N3X。N3 将搭配创新的TSMC FINFLEX
架构，提供晶片设计人员无与伦比的灵活性。 TSMC FINFLEX技术提供多样化的标准元件选择：3-2鳍结构支援超高效能、2-1鳍结构支援最佳功耗效率与电晶体密度、2-2鳍结构则是支援平衡两者的高效效能。